Suministro eléctrico para la nube y los centros de datos

Impulsando la era de la nube y los centros de datos

La infraestructura energética de la nube y los centros de datos está entrando en un periodo de crecimiento sin precedentes, impulsado por la expansión a hiperescala, las cargas de trabajo de inteligencia artificial y el rápido auge de las aplicaciones que hacen un uso intensivo de datos. A medida que los proveedores de servicios en la nube y los centros de datos empresariales amplían su presencia a escala mundial, un suministro eléctrico eficiente y fiable se ha convertido en un factor clave para el rendimiento, la disponibilidad y el coste total de propiedad.

onsemi desempeña un papel clave en este ecosistema en constante evolución, al ofrecer tecnologías avanzadas de potencia, detección y control que dan soporte a toda la cadena de conversión de potencia, desde los front-ends conectados a la red hasta las arquitecturas de punto de carga de alta densidad. Gracias a su amplia experiencia en soluciones de alta tensión, alta eficiencia y alta fiabilidad, onsemi ayuda a los diseñadores de la nube y de centros de datos a satisfacer las crecientes exigencias en materia de densidad de potencia, eficiencia energética y escalabilidad.

Las previsiones del sector apuntan a un crecimiento sólido y sostenido en los sistemas de alimentación eléctrica para la nube y los centros de datos, con una expansión del mercado de las fuentes de alimentación a una tasa de crecimiento anual compuesto (CAGR) superior al 30% hasta finales de la década. Este crecimiento se ve impulsado por las implementaciones a hiperescala y de coubicación, la computación de alto rendimiento (HPC), el entrenamiento y la inferencia de la inteligencia artificial, y la electrificación continua de los servicios digitales en todo el mundo, lo que genera una mayor dependencia de soluciones de semiconductores robustas y eficientes en todos los niveles de la arquitectura de alimentación de los centros de datos.

Aplicaciones

  • Transmisión de video
  • Juegos multijugador
  • Subidas de contenido
  • Servicios corporativos

Diagrama de bloques – Power Rack

Productos recomendados

  • Estante para fuentes de alimentación
  • Estante para la unidad de alimentación de reserva

NCP1680ABD1R2G

Circuito integrado PFC de conducción crítica (CRM) 25 kHz ~ 27  kHz 16-SOIC

NCP58921MNTWG

Interruptor de potencia/controlador 1:1 de canal N, 30 A, 26-TQFN (8x8)

NTT2012N065M3S

Canal N, 650 V, 112 A (Tc), 429 W (Tc), montaje en superficie, T2PAK

NCP51563CADWR2G

Acoplamiento capacitivo del controlador de compuerta de 4,5 A y 9 A de 5000 Vrms de 2 canales de 16-SOIC

NCID9200

I2C, aislador digital SPI de 5000 Vrms de 2 canales de 50 Mbps 100 kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7,50 mm de ancho)

NCP13994AEDR2G

Topología de flyback sin conexión para convertidor 20kHz ~ 750kHz 16-SOIC

NTT2012N065M3S

Canal N, 650 V, 112 A (Tc), 429 W (Tc), montaje en superficie, T2PAK

FODM8801C

Salida del transistor optoaislador 3750Vrms monocanal 4-Mini-Plano

NCP4318ALFPDR2G

Controlador de fuente de alimentación Controlador de convertidor resonante 8-SOIC-EP

NTMFSC1D9N08XTWG

Canal N, 80 V, 201 A (Tc), 164 W (Tc), montaje en superficie, 8-DFN (5 x 6,15)

NCV68261MTWAITBG

Interruptor de alimentación/controlador 1:1 de canal N, 6-WDFNW (2x2)

NTBLS0D8N08XTXG

Canal N, 80 V, 457 A (Tc), 325 W (Tc), montaje en superficie, 8-HPSOF

NCS7030D2G014R2G

Amplificador de detección de corriente 1 Circuito de 8-SOIC de extremo simple

TL331VSN4T3G

Comparador estándar (uso general) 5-TSOP

NCP1077STBT3G

Topología de flyback sin conexión del convertidor 100kHz SOT-223 (TO-261)

S1JHE

Diodo 600 V 1A de montaje superficial SOD-323HE

FODM8801C

Salida del transistor optoaislador 3750Vrms monocanal 4-Mini-Plano

NRTS6100TFSTAG

Diodo de 100 V y 6 A, montaje en superficie, 8-WDFN (3,3 × 3,3)

NCP187AMT330TAG

Regulador de tensión lineal IC positivo fijo monosalida 1,2A 6-WDFN (2x2)

NCP187AMTWADJTAG

Regulador lineal de voltaje del CI positivo ajustable monosalida 1,2A 6-WDFNW (2x2)

NCP737ADNADJR2G

Regulador de tensión lineal del CI positivo ajustable monosalida de 100mA 8-MSOP

NCH-RSL15-512-101Q40-ACG

CI RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v5.2 2.4GHz 40-VFQFN Almohadilla expuesta

N24C256X-1CBT5G

CI de Memoria EEPROM de 32Kbit I2C 1 MHz 400 ns 4-WLCSP (0,77x0,77)

NCN26010XMNTXG

Controlador MAC Ethernet IEEE 802.3, PHY 10 Base-T con interfaz SPI, 32-QFN (4x4)

SZNSP8814LMTWTAG

Diodo TVS sujeción Ipp 15 V y 35A (8/20 µs) de montaje en superficie, flanco humectable 10-WDFNW (3x2)

NCP51563CADWR2G

Acoplamiento capacitivo del controlador de compuerta de 4,5 A y 9 A de 5000 Vrms de 2 canales de 16-SOIC

NTMFSC1D9N08XTWG

Canal N, 80 V, 201 A (Tc), 164 W (Tc), montaje en superficie, 8-DFN (5 x 6,15)

NCS7030D2G014R2G

Amplificador de detección de corriente 1 Circuito de 8-SOIC de extremo simple

TL331VSN4T3G

Comparador estándar (uso general) 5-TSOP

N34TS108C6ECT5G

Sensor de temperatura digital, local: -40°C a 125°C, 12 b, 6-WLCSP (1,19 × 0,79)

Diagrama de bloques: Rack informático

Productos recomendados

  • Rack informático

NCP81428MNTXG

Controlador de intercambio en caliente de 1 canal para uso general, 32-LQFN (5x5)

NTMFWS1D5N08XT1G

Canal N, 80 V, 253 A (Tc), 194 W (Tc), montaje en superficie, flanco humectable, 5-DFNW (4,9 x 5,9) (8-SOFL-WF)

NTMFSC2D6N08XTWG

Canal N, 80 V, 154 A (Tc), 133 W (Tc), montaje en superficie, 8-DFN (5 x 6,15)

NTMFSC1D6N06CTWG

Canal N 120 V 13.5A (Ta), 102A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Montaje en superficie 8-PQFN (5x6)

NCP51563CADWR2G

Acoplamiento capacitivo del controlador de compuerta de 4,5 A y 9 A de 5000 Vrms de 2 canales de 16-SOIC

FD6000MNTXG

Circuito integrado controlador CC-CC PMBus con salida positiva, para reguladores de puente completo y medio puente, elevador/reductor, en encapsulado 32-QFN (5x5)

FD5001MNTXG

Controlador, circuito integrado regulador de tensión Intel VR13, 1 salida, 40-QFN (5x5)

FDMF5049

Módulo controlador de potencia MOSFET trifásico de 100 A, 34-PowerLFQFN

NCP3296MNTXG

CI de regulador reductor de conmutación positivo ajustable 0,6V monosalida 10A 35-WFQFN

Preguntas frecuentes

Los centros de datos de IA son instalaciones a hiperescala construidas para dar respuesta a las exigentes demandas computacionales de las GPU, los ASIC y los modelos de lenguaje a gran escala (LLM). A diferencia de los centros de datos tradicionales, los servidores de IA consumen casi 10 veces más energía, y la densidad por rack está pasando de los 30-120 kW actuales a 1 MW por rack en un futuro próximo. Esto hace que sea necesario contar con fuentes de alimentación de mayor eficiencia, semiconductores de banda ancha (SiC y GaN) y sistemas avanzados de gestión térmica.

El cambio a una arquitectura HVDC (corriente continua de alta tensión) de ±400 V y 800 V reduce el número de etapas de conversión, disminuye las pérdidas I²R, reduce el consumo de cobre en aproximadamente 10 veces y mejora la eficiencia de extremo a extremo hasta alcanzar un 94-96%. A medida que los racks de IA superan los 100 kW, la distribución a 48 V deja de ser viable debido a las corrientes masivas (2,5–20 kA), lo que convierte a la HVDC en el nuevo estándar para las implementaciones de OCP ORV3 y Diablo 400.

Una cadena de alimentación típica de un centro de datos de IA incluye: Red eléctrica → Transformador de estado sólido (o SAI) → Fuente de alimentación CA-CC (PFC + LLC) → Convertidor de bus intermedio (IBC) → Convertidor CC-CC multifásico → Reguladores de punto de carga (PoL) que alimentan CPU, GPU, ASIC y FPGA. Cada etapa requiere componentes específicos — controladores PFC, SiC/MOSFET de GaN, controladores de puerta, etapas de potencia inteligentes, fusibles electrónicos y reguladores reductores PoL—, todos ellos disponibles a través de ON Semiconductor en DigiKey.

Cada tecnología de banda ancha cumple una función diferente:

onsemi ofrece una gama de productos WBG —MOSFET de SiC, JFET en cascada, JFET combinados y GaN integrado (iGaN)— que abarca toda la pila de potencia para la inteligencia artificial.

Las fuentes de alimentación deben cumplir con las especificaciones 80 Plus Titanium y OCP Open Rack V3 (ORV3), alcanzando normalmente una eficiencia máxima ≥97,5% s con una carga de 50% s y un tiempo de autonomía de 20 ms a plena carga. El diseño de referencia de la fuente de alimentación en la nube con IA de 12 kW de onsemi alcanza una eficiencia máxima de 98% gracias al uso de MOSFET de SiC M3S de 650 V combinados con MOSFET PowerTrench T10, lo que le permite ofrecer 50% más potencia que los competidores habituales.

En las implementaciones a hiperescala, una mejora de la eficiencia de >0,5% supone un ahorro de aproximadamente 165 GWh al año, lo que equivale a unos 19 millones de dólares en costos de electricidad para un total de 3 millones de servidores. La elección de componentes de potencia de mayor eficiencia, como los MOSFET de SiC de ON Semiconductor, el PowerTrench T10 y las etapas de potencia inteligentes, reduce directamente el coste total de propiedad (TCO), la carga de refrigeración y la huella de carbono.

Los tipos más comunes son los siguientes:

  • PFC de tipo Totem Pole: máxima eficiencia, mínima distorsión armónica total (THD) (requiere dispositivos WBG como SiC o GaN)
  • Rectificador Vienna: la mejor opción para front-ends de fuentes de alimentación HVDC trifásicas de 25 a 30 kW
  • LLC de puente completo y puente activo dual (DAB) — para etapas CC-CC aisladas
  • Convertidor híbrido de condensadores conmutados (HSCC): para la conversión de alta densidad de 48 V a PoL

En estos diseños se suelen utilizar controladores de onsemi como el NCP1681 (PFC de tipo totem-pole), el NCP4390 (LLC) y el FAN9673 (PFC trifásico).

Los servidores de IA requieren una protección rápida e inteligente contra la sobrecorriente, las puntas de corriente de arranque, los cortocircuitos y los picos de tensión. Los fusibles inteligentes, como el NCP81428 de onsemi ( eFuse de 50 A con intercambio en caliente y PMBus), ofrecen telemetría, supervisión de la corriente máxima y protección programable. En las arquitecturas HVDC de 400 V/800 V, los JFET combinados de SiC y los JFET de SiC permiten desarrollar disyuntores de estado sólido (SSCB) con menores pérdidas, una respuesta más rápida ante fallos y una mayor eficiencia que las alternativas basadas en silicio.

Las líneas de alimentación de las GPU, CPU, ASIC y FPGA requieren una regulación reductora multifásica con una respuesta transitoria precisa y una alta densidad de corriente. El FD5012 de onsemi (controlador digital de 12 fases con PMBus) y el Smart Power Stage FDMF5048 (hasta 110 A de pico) ofrecen una mejora de la eficiencia de >0,5% respecto a las soluciones de la competencia, lo que supone un ahorro de > 80 millones de dólares en costos de electricidad para los operadores de IA a lo largo de su vida útil. Para aplicaciones PoL de alta intensidad, los reguladores reductores apilables NCP3286/NCP3296 admiten hasta 160 A.

Los ingenieros pueden acelerar el tiempo de comercialización utilizando las herramientas gratuitas de onsemi, disponibles junto con el servicio de suministro de componentes de DigiKey:

Las placas de evaluación como la NCP81428GEVB (intercambio en caliente), NIV3071MTW4GEVB (eFuse de 4 canales) y NCP-NCV51563D2PAK7LGEVB (controlador de puerta) ya están disponibles para su pedido en DigiKey.