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Equivalente paramétrico


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Hoja de datos
MOSFET - Arreglos 60V 630mA 820mW Montaje en superficie TSOT-26
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

DMN61D8LVTQ-13

N.º de producto de DigiKey
DMN61D8LVTQ-13DI-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante
Número de pieza del fabricante
DMN61D8LVTQ-13
Descripción
MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Plazo estándar del fabricante
28 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
MOSFET - Arreglos 60V 630mA 820mW Montaje en superficie TSOT-26
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
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Categoría
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 1mA
Fabricante
Diodes Incorporated
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
0.74nC a 5V
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
12.9pF a 12V
Estado de pieza
Activo
Potencia - Máx.
820mW
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Configuración
Dos canal N (doble)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Característica de FET
Compuerta de nivel lógico
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Paquete del dispositivo del proveedor
TSOT-26
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
630mA
Número de producto base
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.8Ohm a 150mA, 5V
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
Sustitutos (3)
N.° de piezaFabricante Cantidad disponibleN.º de producto de DigiKey Precio por unidad Tipo de reemplazo
DMN61D8LVTQ-7Diodes Incorporated347DMN61D8LVTQ-7DITR-ND$0.87000Equivalente paramétrico
DMN61D8LVT-13Diodes Incorporated031-DMN61D8LVT-13TR-ND$0.89000Equivalente paramétrico
DMN61D8LVT-7Diodes Incorporated0DMN61D8LVT-7DITR-ND$0.89000Equivalente paramétrico
Disponible para órdenes
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Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
10,000$0.17598$1,759.80
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.