Name: DMTH10H032SPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H032SPSWQ-13-ND
Price: 1.66 USD
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

DMTH10H032SPSWQ-13
N.º de producto de DigiKey	31-DMTH10H032SPSWQ-13-ND
Fabricante	Diodes Incorporated
Número de pieza del fabricante	DMTH10H032SPSWQ-13
Descripción	MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
Plazo estándar del fabricante	40 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie, lateral humedecible 100 V 25H (Tc) 3.2W (Ta), 38W (Tc) PowerDI5060-8 (típico UX)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8 nC @ 10 V
Fabricante Diodes Incorporated	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Granel	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 544 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.2W (Ta), 38W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 25H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie, lateral humedecible
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete del dispositivo del proveedor PowerDI5060-8 (típico UX)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 32mOhm a 5A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA	Número de producto base DMTH10