Name: GE1208309A1
Brand: GE Aerospace
SKU: 4014-GE1208309A1-ND
Price: 15 USD
Availability: InStock

Nuevo en DigiKey

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GE1208309A1
N.º de producto de DigiKey	4014-GE1208309A1-ND
Fabricante	GE Aerospace
Número de pieza del fabricante	GE1208309A1
Descripción	SiC MOSFET N-Channel 1200V 83A
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 83A 366W (Ta) TO-247-4L
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 27mOhm a 55A, 20V
Fabricante GE Aerospace	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 13mA
Embalaje Paquete para venta al por menor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 127 nC @ 900 V
Estado de pieza Activo	Vgs (máx.) +23V, -15V
Tipo FET Canal N	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3124 pF @ 500 V
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Disipación de potencia (Máx.) 366W (Ta)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 200°C (TJ)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 83A	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4L