BSS169IXTSA1 Infineon Technologies | FET simple, MOSFET

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Infineon Technologies

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BSS169IXTSA1
N.º de producto de DigiKey	448-BSS169IXTSA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-BSS169IXTSA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-BSS169IXTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSS169IXTSA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 100 V 190mA (Ta) 360mW (Ta) PG-SOT-23-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	BSS169IXTSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1.8V a 50µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 2.1 nC @ 7 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Obsoleto	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 51 pF @ 25 V
Tipo FET Canal N, modo de implementación	Disipación de potencia (Máx.) 360mW (Ta)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 190mA (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-SOT-23-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (máx) @ Id, Vgs 12Ohm a 50mA, 0V