Name: IMW120R140M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW120R140M1HXKSA1-ND
Price: 8.21 USD
Availability: OutOfStock

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Microchip Technology

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Canal N Orificio pasante 1200 V 19H (Tc) 94W (Tc) PG-TO247-3-41

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IMW120R140M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMW120R140M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMW120R140M1HXKSA1
Descripción	SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3
Plazo estándar del fabricante	52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1200 V 19H (Tc) 94W (Tc) PG-TO247-3-41
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMW120R140M1HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5.7V a 2.5mA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™	Vgs (máx.) +23V, -7V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 454 pF @ 800 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 94W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-41
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 19H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Número de producto base IMW120
Rds On (máx) @ Id, Vgs 182mOhm a 6A, 18V

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
MSC080SMA120B	Microchip Technology	120	MSC080SMA120B-ND	$12.80000	Similar

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120

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$8.21000	$8.21
30	$4.74833	$142.45
60	$4.33533	$260.12
120	$3.98817	$478.58
510	$3.43131	$1,749.97

Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.

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