Name: IMYH200R050M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYH200R050M1HXKSA1-ND
Price: 25.59 USD
Availability: OutOfStock

Canal N Orificio pasante 2000 V 48H (Tc) 348W (Tc) PG-TO247-4-U04

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IMYH200R050M1HXKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IMYH200R050M1HXKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IMYH200R050M1HXKSA1
Descripción	SIC DISCRETE
Plazo estándar del fabricante	60 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 2000 V 48H (Tc) 348W (Tc) PG-TO247-4-U04
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IMYH200R050M1HXKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 64mOhm a 20A, 18V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 5.5V a 12.1mA
Serie CoolSiC™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 82 nC @ 18 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) +20V, -7V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 348W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 2000 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-4-U04
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 48H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-4
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V	Número de producto base IMYH200

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$25.59000	$25.59
30	$16.33200	$489.96
60	$15.23283	$913.97
120	$14.30917	$1,717.10
510	$14.18488	$7,234.29

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