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IPB083N10N3GATMA1 es obsoleto y ya no se fabrica.
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IPB083N10N3GATMA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IPB083N10N3GATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB083N10N3GATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPB083N10N3GATMA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 100 V 80H (Tc) 125W (Tc) PG-TO263-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPB083N10N3GATMA1 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 75µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 55 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3980 pF @ 50 V |
Estado de pieza Obsoleto | Disipación de potencia (Máx.) 125W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 8.3mOhm a 73A, 10V |
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Sustitutos (15)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB050N10NF2SATMA1 | Infineon Technologies | 786 | 448-IPB050N10NF2SATMA1CT-ND | $2.82000 | MFR recomendado |
| IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | 2,697 | IRF8010STRLPBFCT-ND | $3.46000 | Similar |
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | 1,600 | IRFS4410ZTRLPBFCT-ND | $3.59000 | Similar |
| BUK768R1-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 3,284 | 1727-1062-1-ND | $3.98000 | Similar |
| FDB3632 | onsemi | 0 | FDB3632CT-ND | $4.58000 | Similar |
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Obsoleto
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
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