Name: IPB100N04S4H2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND
Price: 3.02 USD
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IPB100N04S4H2ATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPB100N04S4H2ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPB100N04S4H2ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPB100N04S4H2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB100N04S4H2ATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 100H (Tc) 115W (Tc) PG-TO263-3-2
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB100N04S4H2ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 90 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie OptiMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7180 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 115W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 100H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.4mOhm a 100A, 10V	Número de producto base IPB100
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 70µA