Name: IPB65R190CFDAATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND
Price: 4.81 USD
Availability: InStock

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IPB65R190CFDAATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPB65R190CFDAATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IPB65R190CFDAATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IPB65R190CFDAATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPB65R190CFDAATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 17.5H (Tc) 151W (Tc) PG-TO263-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPB65R190CFDAATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 68 nC @ 10 V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs (máx.) ±20V
Serie CoolMOS™	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1850 pF @ 100 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 151W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 17.5H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 190mOhm a 7.3A, 10V	Número de producto base IPB65R190
Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 700µA

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Sustitutos (4)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
FCB20N60FTM	onsemi	2,315	FCB20N60FTMTR-ND	$7.44000	Similar
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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1,000	$1.72580	$1,725.80
3,000	$1.58637	$4,759.11

IPB65R190CFDAATMA1