Name: IPD78CN10NGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD78CN10NGATMA1TR-ND
Price: 1.43 USD
Availability: InStock

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IPD78CN10NGATMA1
N.º de producto de DigiKey	IPD78CN10NGATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD78CN10NGATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD78CN10NGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPD78CN10NGATMA1
Descripción	MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 13H (Tc) 31W (Tc) PG-TO252-3
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPD78CN10NGATMA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 12µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 11 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 716 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 31W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 13H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPD78CN10
Rds On (máx) @ Id, Vgs 78mOhm a 13A, 10V

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
2,500	$0.37601	$940.02
7,500	$0.33352	$2,501.40

IPD78CN10NGATMA1