


IPD80R1K0CEATMA1 | |
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N.º de producto de DigiKey | IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPD80R1K0CEATMA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 5.7H (Tc) 83W (Tc) PG-TO252-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPD80R1K0CEATMA1 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 31 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 785 pF @ 100 V |
Estado de pieza No para diseños nuevos | Disipación de potencia (Máx.) 83W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO252-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 950mOhm a 3.6A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK5P60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 3,664 | TK5P60WRVQCT-ND | $3.26000 | Similar |
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 1,975 | TSM60NB900CPROGCT-ND | $2.31000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.23000 | $2.23 |
| 10 | $1.42300 | $14.23 |
| 50 | $1.07520 | $53.76 |
| 100 | $0.96310 | $96.31 |
| 500 | $0.76620 | $383.10 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2,500 | $0.63439 | $1,585.98 |
| 7,500 | $0.57051 | $4,278.82 |

