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IPU80R2K8CEBKMA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IPU80R2K8CEBKMA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPU80R2K8CEBKMA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 1.9A TO251-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 800 V 1.9H (Tc) 42W (Tc) PG-TO251-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.9V a 120µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 290 pF @ 100 V |
Estado de pieza Discontinuo en DigiKey | Disipación de potencia (Máx.) 42W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO251-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.8Ohm a 1.1A, 10V |
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