


IPW65R080CFDAFKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IPW65R080CFDAFKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPW65R080CFDAFKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3 |
Plazo estándar del fabricante | 30 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 43.3H (Tc) 391W (Tc) PG-TO247-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPW65R080CFDAFKSA1 Modelos |
Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 161 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±20V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4440 pF @ 100 V |
Embalaje Tubo | Disipación de potencia (Máx.) 391W (Tc) |
Estado de pieza Activo | Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo FET | Grado Uso automotriz |
Tecnología | Calificación AEC-Q101 |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3 |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 80mOhm a 17.6A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 1.76mA |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH46N65X2 | IXYS | 812 | 238-IXFH46N65X2-ND | $14.26000 | Similar |
| TK39N60W5,S1VF | Toshiba Semiconductor and Storage | 983 | TK39N60W5S1VF-ND | $9.39000 | Similar |
| TK35N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK35N65WS1F-ND | $8.56000 | Similar |
| STW48NM60N | STMicroelectronics | 162 | 497-11367-5-ND | $9.89000 | Similar |
| SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 815 | SIHG40N60E-GE3-ND | $8.59000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $9.81000 | $9.81 |
| 30 | $5.73600 | $172.08 |
| 60 | $5.24933 | $314.96 |
| 120 | $4.84017 | $580.82 |
| 510 | $4.18396 | $2,133.82 |

