Name: IPW65R095C7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R095C7XKSA1-ND
Price: 7.71 USD
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 24H (Tc) 128W (Tc) PG-TO247-3-1

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IPW65R095C7XKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPW65R095C7XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPW65R095C7XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Plazo estándar del fabricante	8 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 24H (Tc) 128W (Tc) PG-TO247-3-1
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IPW65R095C7XKSA1 Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4V a 590µA
Fabricante Infineon Technologies	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 45 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Tubo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2140 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 128W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Orificio pasante
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO247-3-1
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 24H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Número de producto base IPW65R095
Rds On (máx) @ Id, Vgs 95mOhm a 11.8A, 10V

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
IXFX64N60P	IXYS	323	IXFX64N60P-ND	$27.91000	Similar

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$7.71000	$7.71
30	$4.43967	$133.19
60	$4.04900	$242.94
120	$3.72025	$446.43
510	$3.19300	$1,628.43

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