Name: ISC019N10NM8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC019N10NM8ATMA1TR-ND
Price: 4.82 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

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ISC019N10NM8ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-ISC019N10NM8ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-ISC019N10NM8ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-ISC019N10NM8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	ISC019N10NM8ATMA1
Descripción	ISC019N10NM8ATMA1
Plazo estándar del fabricante	52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 26H (Ta), 245H (Tc) 3W (Ta), 268W (Tc) PG-TDSON-8
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.93mOhm a 50A, 15V
Fabricante Infineon Technologies	Vgs(th) (máx) a Id 3.2V a 114µA
Serie OptiMOS™ 8	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 133 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8800 pF @ 50 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 268W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 26H (Ta), 245H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 8V, 15V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN