
IXFH22N65X2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 238-IXFH22N65X2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXFH22N65X2 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 22A TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 29 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 22H (Tc) 390W (Tc) TO-247 (IXTH) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5.5V a 1.5mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 38 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2310 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 390W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 (IXTH) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 160mOhm a 11A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH22N65X2W | IXYS | 0 | 238-IXFH22N65X2W-ND | $8.33000 | Equivalente paramétrico |
| TK17N65W,S1F | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK17N65WS1F-ND | $4.88000 | Similar |
| STW28N65M2 | STMicroelectronics | 828 | 497-15575-5-ND | $5.23000 | Similar |
| STW24N60DM2 | STMicroelectronics | 642 | 497-14582-5-ND | $4.68000 | Similar |
| STW28N60M2 | STMicroelectronics | 571 | 497-14292-5-ND | $5.20000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $9.74000 | $9.74 |
| 30 | $5.69067 | $170.72 |
| 60 | $5.20733 | $312.44 |
| 120 | $4.80075 | $576.09 |
| 510 | $4.14878 | $2,115.88 |

