Name: IXTA1N170DHV-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA1N170DHV-TRLTR-ND
Price: 24.25 USD
Availability: OutOfStock

Nuevo producto

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IXTA1N170DHV-TRL
N.º de producto de DigiKey	238-IXTA1N170DHV-TRLTR-ND - Cinta y rollo (TR) 238-IXTA1N170DHV-TRLCT-ND - Cinta cortada (CT) 238-IXTA1N170DHV-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	IXYS
Número de pieza del fabricante	IXTA1N170DHV-TRL
Descripción	MOSFET DISCRETE TO-263HV
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N, modo de implementación Montaje en superficie 1700 V 1H (Tc) 290W (Tc) TO-263HV
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 47 nC @ 5 V
Fabricante IXYS	Vgs (máx.) ±20V
Serie Depletion	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3090 pF @ 25 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 290W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canal N, modo de implementación	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1700 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 1H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-263HV
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 0V	Paquete / Caja (carcasa) TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16Ohm a 500mA, 0V