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NH3T008MP120F2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5140-NH3T008MP120F2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NH3T008MP120F2 |
Descripción | 1200 V, 8 m SiC Half-Bridge Powe |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 200H (Tc) 698W Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 8mOhm a 200A, 20V |
Fabricante NoMIS Power | Vgs(th) (máx) a Id 4V @ 100mA |
Serie | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 530nC @ 20V |
Embalaje Bandeja | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 8787pF a 600V |
Estado de pieza Activo | Potencia - Máx. 698W |
Tecnología Carburo de silicio (SiC) | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Configuración 2 canales N (medio puente) | Tipo de montaje Montaje de chasis |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V (1.2kV) | Paquete / Caja (carcasa) Módulo |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 200H (Tc) |
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