Name: ENGNTBL035N65GN1TXG
Brand: onsemi
SKU: 488-ENGNTBL035N65GN1TXGTR-ND
Price: 15.16 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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ENGNTBL035N65GN1TXG
N.º de producto de DigiKey	488-ENGNTBL035N65GN1TXGTR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-ENGNTBL035N65GN1TXGCT-ND - Cinta cortada (CT) 488-ENGNTBL035N65GN1TXGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	ENGNTBL035N65GN1TXG
Descripción	GAN FET, 650V, 27M, TOLL
Plazo estándar del fabricante	10 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 64H (Tc) 367W (Tc) PDSO-F9 (TOLL)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 67.4mA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 21 nC @ 6 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +7V, -6V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 910 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 367W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 64H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PDSO-F9 (TOLL)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V	Paquete / Caja (carcasa) 9-PowerDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 35mOhm a 18A, 6V