Name: FDD86113LZ
Brand: onsemi
SKU: FDD86113LZFSTR-ND
Price: 2.02 USD
Availability: InStock

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FDD86113LZ
N.º de producto de DigiKey	FDD86113LZFSTR-ND - Cinta y rollo (TR) FDD86113LZFSCT-ND - Cinta cortada (CT) FDD86113LZFSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDD86113LZ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 4.2A/5.5A DPAK
Plazo estándar del fabricante	56 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 4.2H (Ta), 5.5H (Tc) 3.1W (Ta), 29W (Tc) TO-252AA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	FDD86113LZ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 3V a 250µA
Fabricante onsemi	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6 nC @ 10 V
Serie PowerTrench®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 285 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 3.1W (Ta), 29W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 155°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4.2H (Ta), 5.5H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base FDD86113
Rds On (máx) @ Id, Vgs 104mOhm a 4.2A, 10V