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FDP020N06B-F102 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | FDP020N06B-F102-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FDP020N06B-F102 |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 |
Plazo estándar del fabricante | 43 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 60 V 120H (Tc) 333W (Tc) TO-220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 268 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 20930 pF @ 30 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 333W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2mOhm a 100A, 10V |
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Sustitutos (12)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK100E06N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 34 | TK100E06N1S1X-ND | $3.52000 | Similar |
| CSD18535KCS | Texas Instruments | 1,005 | 296-47696-ND | $4.41000 | Similar |
| IRFB3306PBF | Infineon Technologies | 3,699 | 448-IRFB3306PBF-ND | $2.54000 | Similar |
| IRFB7730PBF | Infineon Technologies | 2,397 | IRFB7730PBF-ND | $4.58000 | Similar |
| IRFB3006PBF | Infineon Technologies | 1,898 | IRFB3006PBF-ND | $3.88000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $7.02000 | $7.02 |
| 10 | $4.74700 | $47.47 |
| 50 | $3.77420 | $188.71 |
| 100 | $3.46120 | $346.12 |
| 500 | $3.00112 | $1,500.56 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
