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FDP027N08B-F102 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | FDP027N08B-F102-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FDP027N08B-F102 |
Descripción | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Plazo estándar del fabricante | 99 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 80 V 120H (Tc) 246W (Tc) TO-220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 178 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 13530 pF @ 40 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 246W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 80 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.7mOhm a 100A, 10V |
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Sustitutos (5)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| TK100E10N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 1,531 | TK100E10N1S1X-ND | $4.38000 | Similar |
| CSD19506KCS | Texas Instruments | 0 | 296-37169-5-ND | $6.16000 | Similar |
| IPP030N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP030N10N5AKSA1-ND | $2.67360 | Similar |
| STP240N10F7 | STMicroelectronics | 8,458 | 497-13588-5-ND | $5.72000 | Similar |
| STP270N8F7 | STMicroelectronics | 698 | 497-13654-5-ND | $5.94000 | Similar |
En stock: 286
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Cantidad
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.62000 | $4.62 |
| 10 | $3.04700 | $30.47 |
| 50 | $2.37400 | $118.70 |
| 100 | $2.15710 | $215.71 |
| 500 | $1.77720 | $888.60 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
