


FDP2D3N10C | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | FDP2D3N10C-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | FDP2D3N10C |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3 |
Plazo estándar del fabricante | 68 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 222H (Tc) 214W (Tc) TO-220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | FDP2D3N10C Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 700µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 152 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 11180 pF @ 50 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 214W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.3mOhm a 100A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| RJK1001DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | 6 | 559-RJK1001DPP-A0#T2-ND | $7.80000 | Similar |
| IPP020N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | 333 | 448-IPP020N08N5AKSA1-ND | $6.48000 | Similar |
| IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | 199 | 448-IPP023N08N5AKSA1-ND | $5.76000 | Similar |
| Tubo: | 300 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $7.87000 | $7.87 |
| 10 | $5.35300 | $53.53 |
| 50 | $4.27660 | $213.83 |
| 100 | $3.93060 | $393.06 |
| 500 | $3.49088 | $1,745.44 |


