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HUF75645P3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | HUF75645P3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | HUF75645P3 |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 75A TO220-3 |
Plazo estándar del fabricante | 44 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 75H (Tc) 310W (Tc) TO-220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 238 nC @ 20 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3790 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 310W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 14mOhm a 75A, 10V |
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Sustitutos (9)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| RJK1001DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | 6 | 559-RJK1001DPP-A0#T2-ND | $7.80000 | Similar |
| IXTP75N10P | IXYS | 0 | IXTP75N10P-ND | $6.89000 | Similar |
| TK35E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 32 | 264-TK35E08N1,S1X-ND | $2.11000 | Similar |
| CSD19534KCS | Texas Instruments | 534 | 296-38676-5-ND | $2.29000 | Similar |
| IPP12CN10LGXKSA1 | Infineon Technologies | 83,240 | 2156-IPP12CN10LGXKSA1-ND | $1.10000 | Similar |
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| Tubo: | 750 |
Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.90000 | $3.90 |
| 10 | $2.56300 | $25.63 |
| 50 | $1.98760 | $99.38 |
| 100 | $1.80230 | $180.23 |
| 500 | $1.47746 | $738.73 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
