


NTH4L025N065SC1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 5556-NTH4L025N065SC1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | NTH4L025N065SC1 |
Descripción | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1 |
Plazo estándar del fabricante | 52 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 99H (Tc) 348W (Tc) TO-247-4L |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | NTH4L025N065SC1 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4.3V a 15.5mA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 164 nC @ 18 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) +22V, -8V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3480 pF @ 15 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 348W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Orificio pasante |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-4L |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15V, 18V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 28.5mOhm a 45A, 18V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $22.19000 | $22.19 |
| 10 | $15.92200 | $159.22 |
| 50 | $13.25080 | $662.54 |
| 450 | $11.83162 | $5,324.23 |

