MFR recomendado
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IPP65R190E6XKSA1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | IPP65R190E6XKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPP65R190E6XKSA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 20.2H (Tc) 151W (Tc) PG-TO220-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IPP65R190E6XKSA1 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 3.5V a 730µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 73 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1620 pF @ 100 V |
Estado de pieza Obsoleto | Disipación de potencia (Máx.) 151W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Paquete del dispositivo del proveedor PG-TO220-3 |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 190mOhm a 7.3A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R190C7FKSA1 | Infineon Technologies | 1 | 448-IPP65R190C7FKSA1-ND | $3.64000 | MFR recomendado |
| FCP150N65F | onsemi | 771 | FCP150N65FOS-ND | $6.45000 | Similar |
| FCP190N65F | onsemi | 519 | FCP190N65F-ND | $5.61000 | Similar |
| SIHP22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP22N65E-GE3-ND | $2.55640 | Similar |
| SIHP24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65EF-GE3-ND | $3.23400 | Similar |







