Name: RH6E040BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH6E040BGTB1TR-ND
Price: 2.39 USD
Availability: InStock

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RH6E040BGTB1
N.º de producto de DigiKey	846-RH6E040BGTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RH6E040BGTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RH6E040BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RH6E040BGTB1
Descripción	NCH 30V 125A, HSMT8, POWER MOSFE
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 40H (Tc) 2W (Ta), 78W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 30 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2300 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 78W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 40H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 2.9mOhm a 40A, 10V