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GCMX2P3B120S7B1 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 1560-GCMX2P3B120S7B1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | GCMX2P3B120S7B1 |
Descripción | GEN3 1200V 2.3M SIC MOSFET HALF |
Plazo estándar del fabricante | 5 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 511A (Tc) 1172W (Tc) Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Rds On (máx) @ Id, Vgs 3mOhm a 300A, 18V |
Fabricante SemiQ | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 120mA |
Embalaje Bandeja | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 1604nC a 18V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 43300pF a 800V |
Tecnología Carburo de silicio (SiC) | Potencia - Máx. 1172W (Tc) |
Configuración 2 canales N (medio puente) | Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 1200V (1.2kV) | Tipo de montaje Montaje de chasis |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 511A (Tc) | Paquete / Caja (carcasa) Módulo |
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| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $205.68000 | $205.68 |
| 15 | $177.07333 | $2,656.10 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
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