Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTL90N65G2VTR-ND
Price: 31.2 USD
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

SCTL90N65G2V
N.º de producto de DigiKey	497-SCTL90N65G2VTR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-SCTL90N65G2VCT-ND - Cinta cortada (CT) 497-SCTL90N65G2VDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SCTL90N65G2V
Descripción	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Plazo estándar del fabricante	22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 40H (Tc) 935W (Tc) PowerFlat™ (8x8) HV
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SCTL90N65G2V Modelos

Atributos del producto

Filtrar productos similares

Mostrar atributos vacíos

Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 5V a 1mA
Fabricante STMicroelectronics	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 157 nC @ 18 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +22V, -10V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3380 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 935W (Tc)
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 40H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerFlat™ (8x8) HV
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 18V	Paquete / Caja (carcasa) 4-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 24mOhm a 40A, 18V