Name: SGT105R70ILB
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SGT105R70ILBTR-ND
Price: 5.95 USD
Availability: InStock

Nuevo producto

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SGT105R70ILB
N.º de producto de DigiKey	497-SGT105R70ILBTR-ND - Cinta y rollo (TR) 497-SGT105R70ILBCT-ND - Cinta cortada (CT) 497-SGT105R70ILBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	STMicroelectronics
Número de pieza del fabricante	SGT105R70ILB
Descripción	700 V, 80 MOHM TYP., 21.7 A, E-M
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 700 V 21.7H (Tc) 158W (Tc) PowerFlat™ (8x8) HV
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 105mOhm a 6A, 6V
Fabricante STMicroelectronics	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 24.3mA
Serie ECOPACK®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 4.8 nC @ 6 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +7V, -6V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 179 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 158W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 700 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 21.7H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor PowerFlat™ (8x8) HV
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 6V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 8-VDFN