
STF11NM80 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 497-4338-5-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | STF11NM80 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP |
Plazo estándar del fabricante | 24 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 800 V 11H (Tc) 35W (Tc) TO-220FP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | STF11NM80 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 43.6 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1630 pF @ 25 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 35W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 400mOhm a 5.5A, 10V |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFP12N65X2M | IXYS | 272 | IXFP12N65X2M-ND | $6.47000 | Similar |
| TK10A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 92 | TK10A60WS4VX-ND | $3.31000 | Similar |
| TK11A65W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | 40 | TK11A65WS5X-ND | $2.94000 | Similar |
| TK12A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | 47 | 264-TK12A60W,S4VX-ND | $3.62000 | Similar |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $7.79000 | $7.79 |
| 10 | $5.27100 | $52.71 |
| 50 | $4.19120 | $209.56 |
| 100 | $3.84410 | $384.41 |
| 500 | $3.23650 | $1,618.25 |

