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STWA70N60DM2 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | STWA70N60DM2-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | STWA70N60DM2 |
Descripción | MOSFET N-CHANNEL 600V 66A TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 26 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 66H (Tc) 446W (Tc) TO-247 conductores largos |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | STWA70N60DM2 Modelos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 120 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±25V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5508 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 446W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Orificio pasante |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-247 conductores largos |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 42mOhm a 33A, 10V |
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Sustitutos (6)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW60R041C6FKSA1 | Infineon Technologies | 8,449 | IPW60R041C6FKSA1-ND | $16.18000 | Similar |
| IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | 1,625 | IPW65R045C7FKSA1-ND | $13.31000 | Similar |
| SIHW61N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 480 | SIHW61N65EF-GE3-ND | $15.76000 | Similar |
| TSM60NE048PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 255 | 1801-TSM60NE048PWC0G-ND | $15.53000 | Similar |
| TSM60NE069PW C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 291 | 1801-TSM60NE069PWC0G-ND | $12.26000 | Similar |
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Cantidad
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 600 | $7.32408 | $4,394.45 |
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