Name: SSM6J215FE(TE85L,F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J215FE(TE85LFTR-ND
Price: 0.65 USD
Availability: InStock

Canal P Montaje en superficie 20 V 3.4H (Ta) 500mW (Ta) ES6

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SSM6J215FE(TE85L,F
N.º de producto de DigiKey	SSM6J215FE(TE85LFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM6J215FE(TE85LFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM6J215FE(TE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM6J215FE(TE85L,F
Descripción	MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 3.4H (Ta) 500mW (Ta) ES6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM6J215FE(TE85L,F Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 10.4 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (máx.) ±8V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 630 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 500mW (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor ES6
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 3.4H (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) SOT-563, SOT-666
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V	Número de producto base SSM6J215
Rds On (máx) @ Id, Vgs 59mOhm a 3A, 4.5V