Name: SSM6J412TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6J412TULFTR-ND
Price: 0.57 USD
Availability: InStock

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SSM6J412TU,LF
N.º de producto de DigiKey	SSM6J412TULFTR-ND - Cinta y rollo (TR) SSM6J412TULFCT-ND - Cinta cortada (CT) SSM6J412TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	SSM6J412TU,LF
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4A UF6
Plazo estándar del fabricante	20 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 4H (Ta) 1W (Ta) UF6
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	SSM6J412TU,LF Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 1V a 1mA
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 12.8 nC @ 4.5 V
Serie U-MOSVI	Vgs (máx.) ±8V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 840 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 150°C
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 20 V	Paquete del dispositivo del proveedor UF6
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 4H (Ta)	Paquete / Caja (carcasa) 6-SMD, conductores planos
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 1.5V, 4.5V	Número de producto base SSM6J412
Rds On (máx) @ Id, Vgs 42.7mOhm a 3A, 4.5V