Name: TK11S10N1L,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK11S10N1LLXHQTR-ND
Price: 1.6 USD
Availability: InStock

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TK11S10N1L,LXHQ
N.º de producto de DigiKey	264-TK11S10N1LLXHQTR-ND - Cinta y rollo (TR) 264-TK11S10N1LLXHQCT-ND - Cinta cortada (CT) 264-TK11S10N1LLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK11S10N1L,LXHQ
Descripción	MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
Plazo estándar del fabricante	74 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 11H (Ta) 65W (Tc) DPAK+
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK11S10N1L,LXHQ Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15 nC @ 10 V
Fabricante Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (máx.) ±20V
Serie U-MOSVIII-H	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 850 pF @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 65W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento 175°C
Tipo FET Canal N	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 11H (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor DPAK+
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Rds On (máx) @ Id, Vgs 28mOhm a 5.5A, 10V	Número de producto base TK11S10
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 100µA