Equivalente paramétrico
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BYG21MHE3_A/I | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | BYG21MHE3_A/I-ND - Cinta y rollo (TR) |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | BYG21MHE3_A/I |
Descripción | DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC |
Plazo estándar del fabricante | 16 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Diodos 1000 V 1.5A Montaje en superficie DO-214AC (SMA) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Tiempo de recuperación inversa (trr) 120 ns |
Fabricante | Corriente - Fuga inversa a Vr 1 µA @ 1000 V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) | Grado Uso automotriz |
Estado de pieza Activo | Calificación AEC-Q101 |
Tecnología | Tipo de montaje |
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.) 1000 V | Paquete / Caja (carcasa) |
Corriente - Promedio rectificado (Io) 1.5A | Paquete del dispositivo del proveedor DO-214AC (SMA) |
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If 1.6 V @ 1.5 A | Temperatura de funcionamiento: acoplamiento -55°C ~ 150°C |
Velocidad Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io) | Número de producto base |
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| BYG21M-E3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 57,809 | BYG21M-E3/GITR-ND | $0.62000 | Equivalente paramétrico |
| BYG21M-E3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 9,734 | BYG21M-E3/TR3GITR-ND | $0.78000 | Equivalente paramétrico |
| BYG21M-M3/TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 3,415 | 112-BYG21M-M3/TR-ND | $0.83000 | Equivalente paramétrico |
| BYG21M-M3/TR3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | BYG21M-M3/TR3-ND | $0.17217 | Equivalente paramétrico |
| BYG21MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | 0 | 112-BYG21MHE3_A/HTR-ND | $0.84000 | Equivalente paramétrico |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 7,500 | $0.17494 | $1,312.05 |



