
SI4190BDY-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | 742-SI4190BDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SI4190BDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SI4190BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4190BDY-T1-GE3 |
Descripción | N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET SO- |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 100 V 12H (Ta), 17H (Tc) 3.8W (Ta), 8.4W (Tc) 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI4190BDY-T1-GE3 Modelos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 95 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±20V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4150 pF @ 50 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 3.8W (Ta), 8.4W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V | Paquete del dispositivo del proveedor 8-SOIC |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 9.3mOhm a 10A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $3.29000 | $3.29 |
| 10 | $2.12800 | $21.28 |
| 50 | $1.62880 | $81.44 |
| 100 | $1.46770 | $146.77 |
| 500 | $1.18536 | $592.68 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 2,500 | $0.94006 | $2,350.15 |
| 7,500 | $0.87363 | $6,552.23 |



