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SIHB24N80AE-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIHB24N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB24N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 48 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 21H (Tc) 208W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 89 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1836 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 208W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 184mOhm a 10A, 10V | Número de producto base |
Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
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Recursos adicionales
En stock: 22
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Cantidad
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $4.62000 | $4.62 |
| 10 | $3.04200 | $30.42 |
| 50 | $2.36560 | $118.28 |
| 100 | $2.14790 | $214.79 |
| 500 | $1.76642 | $883.21 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
