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SIHB33N60E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHB33N60E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHB33N60E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
Plazo estándar del fabricante | 48 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 600 V 33H (Tc) 278W (Tc) TO-263 (D2PAK) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 150 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 3508 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 278W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 600 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-263 (D2PAK) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 99mOhm a 16.5A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (9)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | 2,188 | IPB60R099C6ATMA1TR-ND | $7.07000 | Similar |
| IPB60R125C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1,433 | IPB60R125C6ATMA1TR-ND | $5.92000 | Similar |
| IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | 940 | IPB60R099CPATMA1TR-ND | $8.14000 | Similar |
| IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | 96 | 448-IPB60R099CPAATMA1TR-ND | $8.77000 | Similar |
| STB37N60DM2AG | STMicroelectronics | 2,055 | 497-16105-2-ND | $8.24000 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $7.30000 | $7.30 |
| 10 | $4.92200 | $49.22 |
| 50 | $3.90320 | $195.16 |
| 100 | $3.57540 | $357.54 |
| 500 | $3.00160 | $1,500.80 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
