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SIHD11N80AE-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 742-SIHD11N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD11N80AE-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA |
Plazo estándar del fabricante | 48 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 800 V 8H (Tc) 78W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 42 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (máx.) ±30V |
Embalaje Tubo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 804 pF @ 100 V |
Estado de pieza Activo | Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 800 V | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete / Caja (carcasa) |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 450mOhm a 5.5A, 10V |
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Cantidad
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.71000 | $2.71 |
| 10 | $1.74200 | $17.42 |
| 75 | $1.24520 | $93.39 |
| 150 | $1.12380 | $168.57 |
| 525 | $0.95116 | $499.36 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
