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SIHD6N65E-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SIHD6N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIHD6N65E-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 7A DPAK |
Plazo estándar del fabricante | 48 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 650 V 7H (Tc) 78W (Tc) TO-252AA |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SIHD6N65E-GE3 Modelos |
Atributos del producto
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Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 48 nC @ 10 V |
Embalaje Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Estado de pieza Activo | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 820 pF @ 100 V |
Tipo FET | Disipación de potencia (Máx.) 78W (Tc) |
Tecnología | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Paquete del dispositivo del proveedor TO-252AA |
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V | Paquete / Caja (carcasa) |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 600mOhm a 3A, 10V | Número de producto base |
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Sustitutos (8)
| N.° de pieza | Fabricante | Cantidad disponible | N.º de producto de DigiKey | Precio por unidad | Tipo de reemplazo |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHD6N65ET1-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD6N65ET1-GE3-ND | $0.80080 | Equivalente paramétrico |
| SIHD6N65ET4-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD6N65ET4-GE3-ND | $0.80080 | Equivalente paramétrico |
| SIHD6N65ET5-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHD6N65ET5-GE3-ND | $0.80080 | Equivalente paramétrico |
| IXFA14N60P | IXYS | 250 | IXFA14N60P-ND | $7.15000 | Similar |
| IXFA16N60P3 | IXYS | 0 | IXFA16N60P3-ND | $5.72217 | Similar |
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Tubo
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.65000 | $2.65 |
| 10 | $1.70000 | $17.00 |
| 75 | $1.21040 | $90.78 |
| 150 | $1.09080 | $163.62 |
| 525 | $0.92065 | $483.34 |
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
