
SISF02DN-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SISF02DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISF02DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISF02DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISF02DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET 2N-CH 25V 30.5A/60A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 55 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 25V 30.5H (Ta), 60H (Tc) 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) Montaje en superficie PowerPAK® 1212-8SCD |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Categoría | Vgs(th) (máx) a Id 2.3V a 250µA |
Fabricante Vishay Siliconix | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 56nC a 10V |
Serie | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2650pF a 10V |
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | Potencia - Máx. 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) |
Estado de pieza Activo | Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnología MOSFET (óxido de metal) | Tipo de montaje Montaje en superficie |
Configuración 2 canal N (dual), drenaje común | Paquete / Caja (carcasa) PowerPAK® 1212-8SCD |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 25V | Paquete del dispositivo del proveedor PowerPAK® 1212-8SCD |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 30.5H (Ta), 60H (Tc) | Número de producto base |
Rds On (máx) @ Id, Vgs 3.5mOhm a 7A, 10V |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | $2.25000 | $2.25 |
| 10 | $1.43700 | $14.37 |
| 50 | $1.08640 | $54.32 |
| 100 | $0.97320 | $97.32 |
| 500 | $0.77460 | $387.30 |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3,000 | $0.62967 | $1,889.01 |
| 9,000 | $0.56812 | $5,113.08 |




