Número de parte del fabricante | Cantidad disponible | Precio | Estado de la tarifa arancelaria | Serie | Paquete | Estado del producto | Tipo FET | Tecnología | Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | Rds On (máx) @ Id, Vgs | Vgs(th) (máx) a Id | Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | Vgs (máx.) | Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | Característica de FET | Disipación de potencia (Máx.) | Temperatura de funcionamiento | Grado | Calificación | Tipo de montaje | Paquete del dispositivo del proveedor | Paquete / Caja (carcasa) | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
180 En stock | 1 : $9.23000 Tubo | Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos | - | Tubo | Activo | Canal N | SiCFET (Carburo de silicio) | 1700 V | 6.2H (Tc) | 20V | 1Ohm a 2A, 20V | 4V a 1mA | 13 nC @ 20 V | +22V, -6V | 200 pF @ 1000 V | - | 60W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Orificio pasante | TO-247AD | TO-247-3 | ||
749 En stock | 1 : $10.87000 Tubo | Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos | - | Tubo | Activo | Canal N | SiCFET (Carburo de silicio) | 1700 V | 6.4H (Tc) | 20V | 1Ohm a 2A, 20V | 4V a 1mA | 11 nC @ 20 V | +22V, -6V | 200 pF @ 1000 V | - | 65W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Montaje en superficie | TO-263-7L | TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA | ||
20 En stock 2,161 Stock alternativo | 1 : $12.49000 Tubo 1 : $11.10000 Tubo | Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos | - | Tubo Tubo | Obsoleto | Canal N | SiCFET (Carburo de silicio) | 1200 V | 20H (Tc) | 20V | 200mOhm a 10A, 20V | 4V a 5mA | 50 nC @ 20 V | +22V, -6V | 890 pF @ 800 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Orificio pasante | TO-247AD | TO-247-3 | ||
0 En stock | 450 : $3.54751 Tubo | Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos | - | Tubo | Obsoleto | Canal N | SiCFET (Carburo de silicio) | 1700 V | 5H (Tc) | 15V, 20V | 1Ohm a 2A, 20V | 4V a 1mA | 15 nC @ 20 V | +22V, -6V | 200 pF @ 1000 V | - | 54W (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | - | Orificio pasante | TO-247AD | TO-247-3 | ||
0 En stock | Obsoleto | Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos | - | Tubo | Obsoleto | Canal N | SiCFET (Carburo de silicio) | 1200 V | 27H (Tc) | 20V | 150mOhm a 14A, 20V | 4V a 7mA | 63 nC @ 20 V | +22V, -6V | 1130 pF @ 800 V | - | 156W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Orificio pasante | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 En stock | Obsoleto | Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos | - | Tubo | Obsoleto | Canal N | SiCFET (Carburo de silicio) | 1200 V | 100H (Tc) | 20V | 32mOhm a 50A, 20V | 4V a 30mA | 265 nC @ 20 V | +22V, -6V | 4950 pF @ 800 V | - | 500W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Orificio pasante | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 En stock | Obsoleto | Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos | - | Tubo | Obsoleto | Canal N | SiCFET (Carburo de silicio) | 1200 V | 39H (Tc) | 20V | 100mOhm a 20A, 20V | 4V a 10mA | 92 nC @ 20 V | +22V, -6V | 1700 pF @ 800 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Orificio pasante | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 En stock | Obsoleto | Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos | - | Tubo | Obsoleto | Canal N | SiCFET (Carburo de silicio) | 1200 V | 22H (Tc) | 20V | 200mOhm a 10A, 20V | 4V a 5mA | 50 nC @ 20 V | +22V, -6V | 890 pF @ 800 V | - | 125W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Orificio pasante | TO-247-4L | TO-247-4 | ||
0 En stock | Obsoleto | Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos | - | Tubo | Obsoleto | Canal N | SiCFET (Carburo de silicio) | 1200 V | 39H (Tc) | 20V | 100mOhm a 20A, 20V | 4V a 10mA | 92 nC @ 20 V | +22V, -6V | 1700 pF @ 800 V | - | 214W (Tc) | -55°C ~ 175°C (TJ) | - | - | Orificio pasante | TO-247AD | TO-247-3 |




