Canal N Orificio pasante 1200 V 48H (Tc) 218W (Tc) PG-TO247-4-17
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Canal N Orificio pasante 1200 V 48H (Tc) 218W (Tc) PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R040M2HXKSA1

N.º de producto de DigiKey
448-IMZC120R040M2HXKSA1-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IMZC120R040M2HXKSA1
Descripción
SICFET N-CH 1200V 48A TO247
Plazo estándar del fabricante
52 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 48H (Tc) 218W (Tc) PG-TO247-4-17
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IMZC120R040M2HXKSA1 Modelos
Atributos del producto
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Categoría
Rds On (máx) @ Id, Vgs
40mOhm a 18A, 18V
Fabricante
Vgs(th) (máx) a Id
5.1V a 5.5mA
Serie
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
39 nC @ 18 V
Embalaje
Tubo
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Estado de pieza
Activo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1310 pF @ 800 V
Tipo FET
Disipación de potencia (Máx.)
218W (Tc)
Tecnología
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Tipo de montaje
Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO247-4-17
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V, 18V
Paquete / Caja (carcasa)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
En stock: 558
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Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$12.66000$12.66
30$7.55733$226.72
60$6.94983$416.99
120$6.43908$772.69
510$5.63073$2,871.67
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Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.