Canal N Orificio pasante 1200 V 28H (Tc) 143W (Tc) PG-TO247-4-17
Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
Canal N Orificio pasante 1200 V 28H (Tc) 143W (Tc) PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R078M2HXKSA1

N.º de producto de DigiKey
448-IMZC120R078M2HXKSA1-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IMZC120R078M2HXKSA1
Descripción
SICFET N-CH 1200V 28A TO247
Plazo estándar del fabricante
60 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 1200 V 28H (Tc) 143W (Tc) PG-TO247-4-17
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
IMZC120R078M2HXKSA1 Modelos
Atributos del producto
Filtrar productos similares
Mostrar atributos vacíos
Categoría
Rds On (máx) @ Id, Vgs
78mOhm a 9A, 18V
Fabricante
Vgs(th) (máx) a Id
5.1V a 2.8mA
Serie
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
21 nC @ 18 V
Embalaje
Tubo
Vgs (máx.)
+23V, -7V
Estado de pieza
Activo
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
700 pF @ 800 V
Tipo FET
Disipación de potencia (Máx.)
143W (Tc)
Tecnología
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1200 V
Tipo de montaje
Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO247-4-17
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
15V, 18V
Paquete / Caja (carcasa)
Clasificaciones medioambientales y de exportación
Preguntas y respuestas sobre el producto
Recursos adicionales
En stock: 193
Comprobar si hay stock entrante adicional
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$9.56000$9.56
30$5.57733$167.32
60$5.10167$306.10
120$4.70158$564.19
510$4.06012$2,070.66
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.